ROHM Semiconductor US6M11TR
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US6M11TR
2078-US6M11TR
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-SMD, Flat Leads
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MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
--最小包装量--
US6M11TR详情
ROHM Semiconductor US6M11TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.5A 1.3A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
30 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
600MOhm
端子表面处理
锡铜
最大功率耗散
1W
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*M11
引脚数量
6
通道数量
2
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
180m Ω @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
110pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.8nC @ 4.5V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
20V 12V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
1.3A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.5A
漏源击穿电压
-12V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
US6M11TR拓展信息
ROHM Semicon
ROHM Semiconductor
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