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首页 全部分类 US6M2TR vs MCH6663-TL-W

US6M2TR备选型号: MCH6663-TL-W

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  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • ROHM Semiconductor
    US6M2TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    6
    SILICON
    1.5A 1A
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2001
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    340MOhm
    锡铜
    1W
    260
    1.5A
    10
    *M2
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    1W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    240m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.5V @ 1mA
    80pF @ 10V
    2.2nC @ 4.5V
    30V 20V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    1A
    1.5V
    12V
    -20V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1.5 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH6663-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    -
    SILICON
    1.8A 1.5A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    -
    -
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    800mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N and P-Channel
    -
    188m Ω @ 900mA, 10V
    2.6V @ 1mA
    88pF @ 10V
    2nC @ 10V
    30V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    1.5A
    -
    -
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 4V Drive
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    DUAL
    R-PDSO-F6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    1.8A
    0.188Ohm
    30V
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