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首页 全部分类 US6U37TR vs MCH3375-TL-W

US6U37TR备选型号: MCH3375-TL-W

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • ROHM Semiconductor
    US6U37TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
    10 Weeks
    表面贴装
    SMD/SMT
    6
    1
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    340MOhm
    锡铜
    150°C
    -55°C
    700mW
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    6
    Single
    增强型MOSFET
    1W
    7 ns
    SWITCHING
    9ns
    30V
    N-CHANNEL
    9 ns
    1.5A
    12V
    30V
    80pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    240mOhm
    240 mΩ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH3375-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 1.6A MCPH3
    5 Weeks
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    -
    1.6A Ta
    Tape & Reel (TR)
    -
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    SWITCHING
    -
    30V
    -
    -
    1.6A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    表面贴装
    SILICON
    150°C TJ
    R-PDSO-F3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    P-Channel
    295m Ω @ 800mA, 10V
    2.6V @ 1mA
    82pF @ 10V
    2.2nC @ 10V
    ±20V
    0.295Ohm
    30V
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