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首页 全部分类 USC1104 vs DSA26G

USC1104备选型号: DSA26G

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  • 工厂交货时间
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  • 二极管元件材料
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 应用
  • HTS代码
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 电容@Vr, F
  • 最大非代表Pk前进电流
  • 反向电流-最大值
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 引脚数
  • Operating Temperature (Max)
  • Operating Temperature (Min)
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 辐射硬化
  • Semtech Corporation
    USC1104
    Semtech Corporation
    DIODE GEN PURP 200V 2.1A AXIAL
    18 Weeks
    Axial
    通孔
    通孔
    SILICON
    150°C
    Bulk
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    超快恢复
    8541.10.00.80
    WIRE
    O-LALF-W2
    不合格
    SINGLE
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 200V
    1.25V @ 1A
    ISOLATED
    -55°C~150°C
    2A
    200V
    200V
    2.1A
    1
    50 ns
    25pF @ 5V 1MHz
    20A
    10μA
    符合RoHS标准
    unknown
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    DSA26G
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 2.6A AXIAL
    -
    Axial
    通孔
    通孔
    SILICON
    1
    Bulk
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    POWER
    8541.10.00.80
    WIRE
    -
    -
    -
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 600V
    1.05V @ 2.6A
    ISOLATED
    150°C Max
    -
    -
    600V
    2.6A
    1
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    2
    150°C
    -30°C
    2000
    e6
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    HIGH RELIABILITY
    Single
    10μA
    600V
    120A
    无
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