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首页 全部分类 VBO40-08NO6 vs APT40DR160HJ

VBO40-08NO6备选型号: APT40DR160HJ

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  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 反向电压(直流电)
  • 辐射硬化
  • IXYS
    VBO40-08NO6
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR VBO40-08NO6 Bridge Rectifier Diode, Single, 800 V, 20 A, SOT-227B, 1.15 V, 4 Pins
    28 Weeks
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    38.000013g
    SILICON
    1
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Nickel (Ni)
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    4
    不合格
    Single
    单相
    300μA @ 800V
    1.15V @ 20A
    ISOLATED
    20A
    300μA
    300A
    1.15V
    40A
    1
    300μA
    800V
    320A
    320A
    9.6mm
    38.3mm
    25.07mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT40DR160HJ
    Microsemi Corporation
    POWER MODULE FULL BRIDGE SOT-227
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    30.000004g
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    1997
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    4
    -
    Single
    单相
    20μA @ 1600V
    1.3V @ 40A
    ISOLATED
    40A
    -
    400A
    1.3V
    -
    1
    -
    1.6kV
    400A
    -
    9.6mm
    38.2mm
    25.2mm
    -
    符合RoHS标准
    -
    IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
    1.6kV
    无
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