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首页 全部分类 VMM650-01F vs MRFE6VP6300HR5

VMM650-01F备选型号: MRFE6VP6300HR5

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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 表面安装
  • HTS代码
  • 频率
  • 配置
  • 测试电流
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 增益
  • DS 击穿电压-最小值
  • 功率 - 输出
  • 电压-测试
  • IXYS
    VMM650-01F
    IXYS
    MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    Y3-Li
    6
    SILICON
    2
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    HiPerFET™
    2004
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    9
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    VMM
    R-PUFM-X9
    不合格
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    2.2m Ω @ 500A, 10V
    4V @ 30mA
    1440nC @ 10V
    250ns
    100V
    250 ns
    680A
    20V
    0.0018Ohm
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MRFE6VP6300HR5
    NXP USA Inc.
    RF POWER FET, N CH, 125V, NI-780-4 - More Details
    -
    -
    NI780-4
    -
    SILICON
    2
    -
    Tape & Reel (TR)
    -
    2006
    -
    活跃
    不适用
    4
    EAR99
    -
    FLAT
    260
    40
    MRFE6VP6300
    R-CDFM-F4
    不合格
    增强型MOSFET
    SOURCE
    -
    AMPLIFIER
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    10 Weeks
    YES
    8541.29.00.75
    230MHz
    COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
    100mA
    N-CHANNEL
    LDMOS (Dual)
    26.5dB
    130V
    300W
    50V
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