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首页 全部分类 VNB35N07TR-E vs IRF9540NSTRLPBF

VNB35N07TR-E备选型号: IRF9540NSTRLPBF

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  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • Rds On(Typ)
  • 漏源电阻
  • 内置保护器
  • 特征
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • 终端
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    VNB35N07TR-E
    STMicroelectronics
    MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    Tape & Reel (TR)
    OMNIFET™, VIPower™
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    28mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    150°C
    125W
    SINGLE
    鸥翼
    1
    2.54mm
    VNB35
    R-PSSO-G2
    1
    N-Channel
    35A
    18V
    On/Off
    250μA
    低侧
    125W
    25A
    不需要
    250μA
    Non-Inverting
    通用型
    80V
    18A
    3V
    1:1
    55V Max
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    800 μs
    35A
    28m Ω (Max)
    28mOhm
    TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
    状态标志
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9540NSTRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    117mOhm
    -
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3.8W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -23A
    -4V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    Tin
    SILICON
    23A Tc
    -55°C~150°C TJ
    2003
    SMD/SMT
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    -100V
    260
    -23A
    30
    1
    100V
    Single
    23A
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    117m Ω @ 14A, 10V
    4V @ 250μA
    1450pF @ 25V
    110nC @ 10V
    67ns
    ±20V
    51 ns
    20V
    -100V
    100V
    84 mJ
    210 ns
    150°C
    -4 V
    5.084mm
    10.668mm
    9.65mm
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