VNB35N07TR-E备选型号: NTB5605PG

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 输出的数量
  • 输出类型
  • 最大输出电流
  • 工作电源电压
  • 界面
  • 电源电流
  • 输出配置
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 最大电源电流
  • 输入类型
  • 开关类型
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 比率-输入:输出
  • 电压-负荷
  • 故障保护
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • Rds On(Typ)
  • 漏源电阻
  • 内置保护器
  • 特征
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    Tape & Reel (TR)
    OMNIFET™, VIPower™
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    28mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    150°C
    125W
    SINGLE
    鸥翼
    1
    2.54mm
    VNB35
    R-PSSO-G2
    1
    N-Channel
    35A
    18V
    On/Off
    250μA
    低侧
    125W
    25A
    不需要
    250μA
    Non-Inverting
    通用型
    80V
    18A
    3V
    1:1
    55V Max
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    800 μs
    35A
    28m Ω (Max)
    28mOhm
    TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
    状态标志
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
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    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
    OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    Tube
    -
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
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    R-PSSO-G2
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    -
    88W
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    60V
    18.5A
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    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    18.5A Ta
    -55°C~175°C TJ
    2005
    yes
    -60V
    260
    -18.5A
    40
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    140m Ω @ 8.5A, 5V
    2V @ 250μA
    1190pF @ 25V
    22nC @ 5V
    122ns
    ±20V
    75 ns
    20V
    17A
    0.14Ohm
    -60V
    55A
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NTB5605PG NTB5605PG ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK 对比