VNB35N07TR-E备选型号: NTB5605PG
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 功能数量
- 端子间距
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 输出的数量
- 输出类型
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 界面
- 电源电流
- 输出配置
- 功率耗散
- 输出电流
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
- 最大电源电流
- 输入类型
- 开关类型
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 比率-输入:输出
- 电压-负荷
- 故障保护
- 接通时间
- 输出峰值电流限制-名
- Rds On(Typ)
- 漏源电阻
- 内置保护器
- 特征
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- 无铅代码
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)18 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3Tape & Reel (TR)OMNIFET™, VIPower™e3活跃3 (168 Hours)2EAR9928mOhmMatte Tin (Sn) - annealed150°C125WSINGLE鸥翼12.54mmVNB35R-PSSO-G21N-Channel35A18VOn/Off250μA低侧125W25A不需要250μANon-Inverting通用型80V18A3V1:155V MaxCurrent Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage800 μs35A28m Ω (Max)28mOhmTRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL状态标志无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------------------------
- MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAKOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3Tube-e3Obsolete1 (Unlimited)2EAR99-Tin (Sn)---鸥翼---R-PSSO-G2-------88W-----60V18.5A------------符合RoHS标准无铅SILICON18.5A Ta-55°C~175°C TJ2005yes-60V260-18.5A403不合格Single增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING140m Ω @ 8.5A, 5V2V @ 250μA1190pF @ 25V22nC @ 5V122ns±20V75 ns20V17A0.14Ohm-60V55A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTB5605PG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | 对比 |




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