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VND10N06TR-E备选型号: VND10N06-E

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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 输出的数量
  • 输出类型
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  • 输出配置
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 最大电源电流
  • 输入类型
  • 开关类型
  • 比率-输入：输出
  • 故障保护
  • 输出峰值电流限制-名
  • Rds On(Typ)
  • 内置保护器
  • 长度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 接通延迟时间
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏源击穿电压
  • 漏源电阻
  • 高度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    VND10N06TR-E
    STMicroelectronics
    MOSFET OMNIFET 60V 10A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    Tape & Reel (TR)
    OMNIFET™, VIPower™
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    150mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    35W
    SINGLE
    鸥翼
    260
    1
    2.28mm
    30
    VND10
    3
    R-PSSO-G2
    1
    N-Channel
    10A
    On/Off
    150μA
    低侧
    35W
    6A
    不需要
    150μA
    Non-Inverting
    通用型
    1:1
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    10A
    150m Ω
    TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
    6.5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    VND10N06-E
    STMicroelectronics
    IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 6 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    Tube
    OMNIFET™, VIPower™
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    -
    150mOhm
    -
    35W
    SINGLE
    鸥翼
    -
    1
    2.28mm
    -
    VND10
    -
    R-PSSO-G2
    1
    N-Channel
    10A
    On/Off
    150μA
    低侧
    35W
    6A
    不需要
    150μA
    Non-Inverting
    通用型
    1:1
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    10A
    150m Ω
    TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
    6.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    200 ns
    1.1 μs
    10A
    60V
    150mOhm
    2.4mm
    6.2mm
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