您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 VND1NV04TR-E vs FDD4243

VND1NV04TR-E备选型号: FDD4243

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 输出类型
  • 最大输出电流
  • 电压
  • 界面
  • 元素配置
  • 电源电流
  • 电流
  • 输出配置
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 最大电源电流
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 开关类型
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 比率-输入：输出
  • 电压-负荷
  • 故障保护
  • 漏源击穿电压
  • 驱动器数量
  • 输出峰值电流限制-名
  • Rds On(Typ)
  • 漏源电阻
  • 关断时间
  • 内置保护器
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终端
  • 电压 - 额定直流
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    VND1NV04TR-E
    STMicroelectronics
    IC PWR MOSFET 40V 1.7A DPAK
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    1 μs
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OMNIFET II™, VIPower™
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    250mOhm
    Matte Tin (Sn)
    35W
    鸥翼
    225
    1
    2.25mm
    VND1N
    3
    R-PSSO-G2
    N-Channel
    1.7A
    40V
    On/Off
    Single
    100μA
    1.7A
    低侧
    35W
    1.7A
    不需要
    100μA
    Non-Inverting
    200 ns
    通用型
    170ns
    40V
    200 ns
    500mA
    2.5V
    1:1
    36V Max
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    40V
    1
    1.7A
    250m Ω (Max)
    250mOhm
    5.5 μs
    TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD4243
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    6.7A Ta 14A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    44MOhm
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    -
    -
    -
    R-XSSO-G2
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    42W
    -
    -
    -
    -
    6 ns
    -
    15ns
    40V
    7 ns
    -6.7A
    -1.6V
    -
    -
    -
    -40V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 6 hours ago)
    260.37mg
    SILICON
    2006
    SMD/SMT
    -40V
    not_compliant
    -14A
    未说明
    不合格
    增强型MOSFET
    P-Channel
    44m Ω @ 6.7A, 10V
    3V @ 250μA
    1550pF @ 20V
    29nC @ 10V
    ±20V
    20V
    60A
    -40V
    84 mJ
    -1.6 V
    无铅
  • 添加型号
集成电路（IC）相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11 对比
FDD8444 FDD8444 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 In a Pack of 2, N-Channel MOSFET, 145 A, 40 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor FDD8444 对比
FDD8451 FDD8451 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 40V 9A DPAK 对比