STMicroelectronics VND1NV04TR-E
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VND1NV04TR-E
2381-VND1NV04TR-E
PMIC - 配电开关,负载驱动器
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IC PWR MOSFET 40V 1.7A DPAK
--最小包装量--
VND1NV04TR-E详情
STMicroelectronics VND1NV04TR-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
Turn Off Delay Time
1 μs
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OMNIFET II™, VIPower™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
250mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
35W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
2.25mm
基本部件号
VND1N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
输出类型
N-Channel
最大输出电流
1.7A
电压
40V
界面
On/Off
元素配置
Single
电源电流
100μA
电流
1.7A
输出配置
低侧
功率耗散
35W
输出电流
1.7A
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
不需要
最大电源电流
100μA
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
200 ns
开关类型
通用型
上升时间
170ns
漏源电压 (Vdss)
40V
下降时间(典型值)
200 ns
连续放电电流(ID)
500mA
阈值电压
2.5V
比率-输入:输出
1:1
电压-负荷
36V Max
故障保护
Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
漏源击穿电压
40V
驱动器数量
1
输出峰值电流限制-名
1.7A
Rds On(Typ)
250m Ω (Max)
漏源电阻
250mOhm
关断时间
5.5 μs
内置保护器
TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
高度
2.4mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
VND1NV04TR-E拓展信息
STMicroelectronics
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