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首页 全部分类 VNH3ASP30-E vs IRF7309TRPBF

VNH3ASP30-E备选型号: IRF7309TRPBF

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • STMicroelectronics
    VNH3ASP30-E
    STMicroelectronics
    IC MTR DRV 5.5-16V MULTIPWRSO-30
    42 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    30-MPSO, MultiPowerSO
    30
    20kHz
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    STripFET™, VIPower™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    30
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    汽车
    5.5V~16V
    DUAL
    鸥翼
    250
    9V
    20kHz
    30
    VNH3ASP
    Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
    1
    30A
    5.5V
    PWM
    刷式直流马达控制器
    10mA
    Half Bridge (2)
    41V
    30A
    5.5V~16V
    Brushed
    有刷直流
    2.25mm
    17.3mm
    16.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
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  • Infineon Technologies
    IRF7309TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    4A 3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
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    IRF7309PBF
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    1.4986mm
    4.9784mm
    4.05mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    2001
    50mOhm
    超低电阻
    1.4W
    4A
    6.3 mm
    增强型MOSFET
    1.4W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 2.4A, 10V
    1V @ 250μA
    520pF @ 15V
    25nC @ 4.5V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    4A
    1V
    20V
    4A
    30V
    16A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1 V
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