VNP20N07-E备选型号: STP14NF10
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 输出的数量
- 输出类型
- 最大输出电流
- 界面
- 输出配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 输出电流
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
- 输入类型
- 开关类型
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 比率-输入:输出
- 电压-负荷
- 故障保护
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- Rds On(Typ)
- 漏源电阻
- 特征
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 终止次数
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220ABACTIVE (Last Updated: 7 months ago)18 Weeks通孔通孔TO-220-334.535924gTubeOMNIFET™, VIPower™e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)150°C83WVNP20N1N-Channel14AOn/Off低侧增强型MOSFET83W20A不需要Non-Inverting通用型80V20A3V1:155V MaxCurrent Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage70VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR50m Ω (Max)50mOhm状态标志9.15mm10.4mm4.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------------------------
- In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 15 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP14NF10ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks通孔通孔TO-220-33-TubeSTripFET™ IIe3活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)--STP14N-----增强型MOSFET60W-----15A----100V----9.15mm10.4mm4.6mm--ROHS3 Compliant无铅SILICON15A Tc-55°C~175°C TJ3130mOhm100V未说明not_compliant15A未说明3不合格SingleDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING130m Ω @ 7A, 10V4V @ 250μA460pF @ 25V21nC @ 10V25ns±20V8 nsTO-220AB20V60A70 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STP24NF10 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 26A TO-220 | 对比 |
![]() | STP20NF06L | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 20A TO-220 | 对比 |



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