W25Q128FWSIG备选型号: SST26VF032B-104I/SM
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 操作模式
- 时钟频率
- 电源电流-最大值
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 编程电压
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 工作电源电压
- 访问时间
- 密度
- 筛选水平
- 并行/串行
- 页面尺寸
- 环境温度范围高
- 高度
- 达到SVHC
- 无铅
- IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC10 Weeks表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)YESNon-Volatile-40°C~85°C TATubeSpiFlash®2016活跃3 (168 Hours)81.65V~1.95VDUAL未说明11.8V1.27mm未说明8S-PDSO-G8不合格1.95V1.8V1.7VSPI, Serial128Mb 16M x 8SYNCHRONOUS104MHz0.025mAFLASHSPI - Quad I/O, QPI128MX1160μs, 5ms0.00002A134217728 bit1.8VSPI100000 Write/Erase Cycles20HARDWARE/SOFTWARE5.28mm2.16mm5.28mmROHS3 Compliant----------------
- IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIJ6 Weeks表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)-Non-Volatile-40°C~85°C TATubeSST26 SQI®2013活跃1 (Unlimited)82.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm未说明--不合格3.6V-2.7VSPI32Mb 4M x 8SYNCHRONOUS104MHz0.02mAFLASHSPI - Quad I/O32MX1-1.5ms0.000045A--SPI100000 Write/Erase Cycles-HARDWARE/SOFTWARE5.26mm-5.25mmROHS3 Compliant表面贴装8e33A991.B.1.AMatte Tin (Sn) - annealedSST26VF0323V3 ns32 MbTS 16949SERIAL256B85°C2.03mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MX25L512EMI-10G | Macronix | 存储器 | SOIC | IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8SOP | 对比 |
![]() | SST26VF032B-104I/SM | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIJ | 对比 |
![]() | SST26VF032BA-104I/SM | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | Flash Serial 3V 32Mbit 32M x 1Bit 8-Pin SOIJ | 对比 |





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