W25Q256FVFIQ备选型号: SST26VF032B-104I/SM
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
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- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
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- 界面
- 内存大小
- 操作模式
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- 组织结构
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- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
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- 串行总线类型
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- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 工作电源电压
- 电源电流-最大值
- 访问时间
- 密度
- 筛选水平
- 并行/串行
- 页面尺寸
- 环境温度范围高
- 高度
- 达到SVHC
- 无铅
- IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC14 Weeks表面贴装16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)YESNon-Volatile-40°C~85°C TATubeSpiFlash®2016Discontinued3 (168 Hours)162.7V~3.6VDUAL13V1.27mmR-PDSO-G16不合格3.6V3/3.3V2.7VSPI, Serial256Mb 32M x 8SYNCHRONOUS104MHzFLASHSPI - Quad I/O, QPI256MX1150μs, 3ms0.000025A268435456 bit3VSPI100000 Write/Erase Cycles20HARDWARE/SOFTWARE10.31mm2.64mm7.49mmROHS3 Compliant-------------------
- IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIJ6 Weeks表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)-Non-Volatile-40°C~85°C TATubeSST26 SQI®2013活跃1 (Unlimited)82.7V~3.6VDUAL13V1.27mm-不合格3.6V-2.7VSPI32Mb 4M x 8SYNCHRONOUS104MHzFLASHSPI - Quad I/O32MX1-1.5ms0.000045A--SPI100000 Write/Erase Cycles-HARDWARE/SOFTWARE5.26mm-5.25mmROHS3 Compliant表面贴装8e33A991.B.1.AMatte Tin (Sn) - annealed260未说明SST26VF0323V0.02mA3 ns32 MbTS 16949SERIAL256B85°C2.03mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST26VF032B-104I/SM | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIJ | 对比 |
![]() | SST26VF064B-104I/SM | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIJ | 对比 |
| IS25LQ040B-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC | 对比 |




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