W29GL032CB7A备选型号: M29W800FB70ZA3SE
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 电源电流
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- 同步/异步
- 编程电压
- 备用内存宽度
- 数据轮询
- 拨动位
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 行业规模
- 页面尺寸
- 准备就绪/忙碌
- 引导模块
- 通用闪存接口
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 表面安装
- 已出版
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 电压
- 宽度
- IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA表面贴装表面贴装48-TFBGA48Non-Volatile-40°C~85°C TATubee1yesObsolete3 (168 Hours)483A991.B.1.A锡银铜底部启动区块8542.32.00.512.7V~3.6VBOTTOM13V0.8mm483.6V3/3.3V2.7V32Mb 4M x 8 2M x 1655mAFLASHParallel32MX1170ns21b32 Mb0.000005A70 nsAsynchronous3V8YESYESYES8638K64K8/16wordsYESBOTTOMYES8mm1.2mm无ROHS3 Compliant-------
- NOR Flash Parallel 3V/3.3V 8Mbit 1M/512K x 8bit/16bit 70ns 48-Pin TFBGA Tray-表面贴装48-TFBGA48Non-Volatile-40°C~125°C TATraye1yesObsolete3 (168 Hours)48EAR99锡银铜底部启动区块8542.32.00.512.7V~3.6VBOTTOM13.3V0.8mm48---8Mb 1M x 8 512K x 1610mAFLASHParallel512KX161670ns-8 Mb-70 nsAsynchronous-8---------8mm1.2mm无ROHS3 CompliantYES201026030M29W8002.7V6mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST39VF3202-70-4I-B3KE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFBGA | IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA | 对比 |
![]() | M29W800FB70ZA3SE | Micron Technology Inc. | 存储器 | 48-TFBGA | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 8Mbit 1M/512K x 8bit/16bit 70ns 48-Pin TFBGA Tray | 对比 |
![]() | SST39VF3201-70-4I-B3KE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFBGA | IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA | 对比 |





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