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首页 全部分类 W29GL512SH9T vs MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

W29GL512SH9T备选型号: MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

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  • 电源电压-最小值(Vsup)
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  • 密度
  • 同步/异步
  • 字长
  • 编程电压
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • Winbond Electronics
    W29GL512SH9T
    Winbond Electronics
    IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
    表面贴装
    56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    56-TSOP
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2016
    不用于新设计
    3 (168 Hours)
    85°C
    -40°C
    2.7V~3.6V
    Parallel
    512Mb 32M x 16
    90ns
    FLASH
    Parallel
    90ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
    Micron Technology Inc.
    SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit
    表面贴装
    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    -
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2013
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    -
    2.7V~3.6V
    -
    1Gb 128M x 8
    25 ns
    FLASH
    Parallel
    -
    ROHS3 Compliant
    6 Weeks
    YES
    48
    3A991.B.1.A
    8542.32.00.51
    DUAL
    未说明
    1
    3.3V
    0.5mm
    未说明
    MT29F1G08
    R-PDSO-G48
    3.3V
    3.6V
    2.7V
    35mA
    128MX8
    8
    28b
    1 Gb
    Asynchronous
    8b
    2.7V
    18.4mm
    1.2mm
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