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首页 全部分类 W29N01GVDIAA vs M29W800DT70N6E

W29N01GVDIAA备选型号: M29W800DT70N6E

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  • 通用闪存接口
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Winbond Electronics
    W29N01GVDIAA
    Winbond Electronics
    IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA
    20 Weeks
    表面贴装
    48-VFBGA
    YES
    48
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2016
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    48
    3.3V
    BOTTOM
    1
    0.8mm
    unknown
    1Gb 128M x 8
    ASYNCHRONOUS
    FLASH
    Parallel
    128MX8
    8
    25ns
    1073741824 bit
    3.3V
    3.6V
    2.7V
    8mm
    1mm
    6.5mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    M29W800DT70N6E
    Micron Technology Inc.
    MICRON M29W800DT70N6E Flash Memory, Boot Block, 8 Mbit, 1M x 8bit / 512K x 16bit, CFI, Parallel, TSOP, 48 Pins
    -
    表面贴装
    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    YES
    48
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2008
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    48
    3V
    DUAL
    1
    0.5mm
    -
    8Mb 1M x 8 512K x 16
    -
    FLASH
    Parallel
    512KX16
    16
    70ns
    -
    -
    -
    -
    18.4mm
    1.2mm
    12mm
    ROHS3 Compliant
    10mA
    e3
    yes
    SMD/SMT
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    TOP BOOT BLOCK
    8542.32.00.51
    M29W800
    3/3.3V
    2.7V
    8 Mb
    0.0001A
    70 ns
    Asynchronous
    8
    YES
    YES
    YES
    12115
    16K8K32K64K
    YES
    TOP
    YES
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
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