W29N02GZBIBA备选型号: MT29F1G08ABAEAH4:E

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 操作模式
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 记忆密度
  • 编程电压
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 底架
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 基本部件号
  • 工作电源电压
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 电源电流
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 同步/异步
  • 字长
  • Winbond Electronics
    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    63-VFBGA
    YES
    63
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2016
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    63
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    1
    1.8V
    0.8mm
    1.95V
    1.7V
    2Gb 256M x 8
    ASYNCHRONOUS
    FLASH
    Parallel
    256MX8
    8
    35ns
    2147483648 bit
    1.8V
    11mm
    1mm
    9mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit
    5 Weeks
    表面贴装
    63-VFBGA
    -
    63
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Bulk
    2013
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    2.7V~3.6V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1Gb 128M x 8
    -
    FLASH
    Parallel
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    63-VFBGA (9x11)
    70°C
    0°C
    MT29F1G08
    3.3V
    Parallel
    3.6V
    2.7V
    35mA
    28b
    1 Gb
    Asynchronous
    8b
  • 添加型号
集成电路(IC)相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
MT29F2G08ABAEAH4:E MT29F2G08ABAEAH4:E Micron Technology Inc. 存储器 63-VFBGA SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2Gbit 256M x 8bit 63-Pin VFBGA Tray 对比
MT29F1G08ABADAH4-IT:D MT29F1G08ABADAH4-IT:D Micron Technology Inc. 存储器 63-VFBGA SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit 63-Pin VFBGA Tray 对比
MT29F1G08ABAEAH4:E MT29F1G08ABAEAH4:E Micron Technology Inc. 存储器 63-VFBGA SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit 对比