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首页 全部分类 W631GG6KB-15 vs IS43TR16640BL-107MBLI

W631GG6KB-15备选型号: IS43TR16640BL-107MBLI

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  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
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  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 操作模式
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • Winbond Electronics
    W631GG6KB-15
    Winbond Electronics
    IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    96-TFBGA
    96
    Volatile
    0°C~85°C TC
    Tray
    2016
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    96
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.32
    1.425V~1.575V
    BOTTOM
    1
    1.5V
    0.8mm
    96
    1.5V
    1.575V
    1.425V
    1Gb 64M x 16
    1
    240mA
    667MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    16b
    64MX16
    3-STATE
    16
    16b
    1 Gb
    0.014A
    COMMON
    8192
    8
    8
    13mm
    1.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43TR16640BL-107MBLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    96-TFBGA
    96
    Volatile
    -40°C~95°C TC
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    96
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.32
    1.283V~1.45V
    BOTTOM
    1
    1.35V
    0.8mm
    -
    1.35V
    1.45V
    1.283V
    1Gb 64M x 16
    1
    -
    933MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    16b
    64MX16
    -
    16
    13b
    1 Gb
    -
    -
    -
    -
    -
    13mm
    1.2mm
    -
    ROHS3 Compliant
    Copper, Silver, Tin
    e1
    锡银铜
    未说明
    未说明
    SYNCHRONOUS
    15ns
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IS43TR16640BL-107MBLI IS43TR16640BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 96-TFBGA IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA 对比