W631GG8KB12I备选型号: IS43TR16640B-125JBLI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 记忆密度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 写入周期时间 - 字符、页面
- IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA表面贴装78-TFBGAYESVolatile-40°C~95°C TCTray2016yesObsolete3 (168 Hours)78AUTO/SELF REFRESH1.425V~1.575VBOTTOM未说明11.5V0.8mm未说明R-PBGA-B781.575V1.425V1Gb 128M x 81SYNCHRONOUS800MHz20nsDRAMParallel128MX881073741824 bit10.5mm1.2mm8mmROHS3 Compliant------
- IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA表面贴装96-TFBGAYESVolatile-40°C~95°C TCTray--活跃3 (168 Hours)96AUTO/SELF REFRESH1.425V~1.575VBOTTOM未说明11.5V0.8mm未说明R-PBGA-B961.575V1.425V1Gb 64M x 161SYNCHRONOUS800MHz20nsDRAMParallel64MX16161073741824 bit13mm1.2mm9mmROHS3 Compliant6 Weekse1EAR99锡银铜8542.32.00.3215ns
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43TR16640B-125JBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA | 对比 | |
| IS43TR16640B-125JBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA | 对比 |



哦! 它是空的。