W632GG8KB-11备选型号: MT41K256M8DA-107:K

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 表面安装
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 已出版
  • 包装
  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 电源
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • 记忆密度
  • I/O类型
  • 电压 - 供电 (最大值)
  • 电压 - 供电 (最小值)
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 宽度
  • 座位高度(最大)
  • 长度
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 数据总线宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Winbond Electronics
    IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 78BGA
    YES
    78-TFBGA
    表面贴装
    78
    Volatile
    2016
    Tray
    0°C~95°C TC
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    78
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.36
    1.425V~1.575V
    BOTTOM
    未说明
    1
    0.8mm
    未说明
    不合格
    1.5V
    2Gb 256M x 8
    1
    SYNCHRONOUS
    933MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    256MX8
    3-STATE
    8
    0.019A
    2147483648 bit
    COMMON
    1.575V
    1.425V
    8192
    48
    48
    8mm
    1.2mm
    10.5mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    DRAM Chip DDR3L SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.35V 78-Pin FBGA
    -
    78-TFBGA
    表面贴装
    78
    Volatile
    2012
    Tray
    0°C~95°C TC
    活跃
    3 (168 Hours)
    78
    EAR99
    -
    8542.32.00.36
    1.35V
    BOTTOM
    260
    1
    0.8mm
    30
    -
    -
    2Gb 256M x 8
    1
    -
    933MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    256MX8
    3-STATE
    8
    0.012A
    -
    COMMON
    1.45V
    1.283V
    8192
    8
    8
    -
    1.2mm
    10.5mm
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    表面贴装
    e1
    Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
    MT41K256M8
    8b
    18b
    2 Gb
    无铅
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