W632GG8KB-11备选型号: MT41K256M8DA-107:K
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- I/O类型
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 宽度
- 座位高度(最大)
- 长度
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 数据总线宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 辐射硬化
- 无铅
- IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 78BGAYES78-TFBGA表面贴装78Volatile2016Tray0°C~95°C TCDiscontinued3 (168 Hours)78EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.361.425V~1.575VBOTTOM未说明10.8mm未说明不合格1.5V2Gb 256M x 81SYNCHRONOUS933MHz20nsDRAMParallel256MX83-STATE80.019A2147483648 bitCOMMON1.575V1.425V819248488mm1.2mm10.5mmROHS3 Compliant----------
- DRAM Chip DDR3L SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.35V 78-Pin FBGA-78-TFBGA表面贴装78Volatile2012Tray0°C~95°C TC活跃3 (168 Hours)78EAR99-8542.32.00.361.35VBOTTOM26010.8mm30--2Gb 256M x 81-933MHz20nsDRAMParallel256MX83-STATE80.012A-COMMON1.45V1.283V819288-1.2mm10.5mmROHS3 Compliant12 Weeks表面贴装e1Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)MT41K256M88b18b2 Gb无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43TR82560BL-15HBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 78-TFBGA | DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 256M x 8 1.35V 78-Pin TWBGA | 对比 | |
![]() | MT41K256M8DA-107:K | Micron Technology Inc. | 存储器 | 78-TFBGA | DRAM Chip DDR3L SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.35V 78-Pin FBGA | 对比 |




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