W632GG8KB-12备选型号: IS43TR85120A-125KBL
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 工作电源电压
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78BGA表面贴装78-TFBGAYES78Volatile0°C~95°C TCTray2016Discontinued3 (168 Hours)78EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.361.425V~1.575VBOTTOM未说明11.5V0.8mm未说明78不合格1.575V1.5V1.425V2Gb 256M x 81SYNCHRONOUS800MHz20nsDRAMParallel256MX83-STATE80.019A2147483648 bitCOMMON8192484810.5mm1.2mm8mmROHS3 Compliant-----
- DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 512M x 8 1.5V 78-Pin TWBGA表面贴装78-TFBGAYES78Volatile0°C~95°C TCTray-活跃3 (168 Hours)78-PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH-1.425V~1.575VBOTTOM-11.5V0.8mm--不合格1.575V-1.425V4Gb 512M x 81SYNCHRONOUS800MHz20nsDRAMParallel512MX83-STATE80.018A-COMMON8192484810.5mm1.2mm-ROHS3 Compliant8 Weeks1.5V15ns16b4 Gb
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43TR82560B-125KBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 78-TFBGA | IC DRAM 2G PARALLEL 78TWBGA | 对比 |



哦! 它是空的。