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首页 全部分类 W632GU8KB12I vs IS43TR16640B-125JBL

W632GU8KB12I备选型号: IS43TR16640B-125JBL

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 表面安装
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 引脚数
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  • 包装
  • 操作温度
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 电源
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • 记忆密度
  • I/O类型
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 宽度
  • 座位高度(最大)
  • 长度
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • Winbond Electronics
    W632GU8KB12I
    Winbond Electronics
    IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78BGA
    YES
    78-TFBGA
    表面贴装
    78
    Volatile
    2016
    Tray
    -40°C~95°C TC
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    78
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.36
    1.283V~1.45V
    BOTTOM
    未说明
    1
    0.8mm
    未说明
    R-PBGA-B78
    不合格
    1.35V
    2Gb 256M x 8
    1
    SYNCHRONOUS
    800MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    256MX8
    3-STATE
    8
    0.019A
    2147483648 bit
    COMMON
    1.45V
    1.283V
    8192
    8
    8
    8mm
    1.2mm
    10.5mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43TR16640B-125JBL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA
    YES
    96-TFBGA
    表面贴装
    -
    Volatile
    -
    Tray
    0°C~95°C TC
    活跃
    3 (168 Hours)
    96
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.32
    1.5V
    BOTTOM
    未说明
    1
    0.8mm
    未说明
    R-PBGA-B96
    -
    -
    1Gb 64M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    800MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    64MX16
    -
    16
    -
    1073741824 bit
    -
    1.575V
    1.425V
    -
    -
    -
    9mm
    1.2mm
    13mm
    ROHS3 Compliant
    6 Weeks
    e1
    锡银铜
    15ns
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