W9425G6KH-5备选型号: IS42S16800F-7TL
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
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- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电流
- 数据总线宽度
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 高度
- IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II10 Weeks表面贴装66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)YESVolatile0°C~70°C TATray2013活跃3 (168 Hours)66EAR99AUTO/SELF REFRESH2.3V~2.7VDUAL26012.5V0.65mm未说明R-PDSO-G662.7V2.3V256Mb 16M x 161SYNCHRONOUS200MHz55nsDRAMParallel16MX161615ns268435456 bit22.22mm1.2mm10.16mmROHS3 Compliant-----------------
- IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 54TSOP6 Weeks表面贴装54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)-Volatile0°C~70°C TATray-活跃3 (168 Hours)54EAR99AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VDUAL26013.3V0.8mm10-3.6V3V128Mb 8M x 161SYNCHRONOUS143MHz5.4nsDRAMParallel8MX16---22.42mm-10.29mmROHS3 Compliant表面贴装54e3yesMatte Tin (Sn)54不合格3.3V100mA16b3-STATE14b128 Mb0.002ACOMMON40961.05mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16800F-7TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 54TSOP | 对比 | |
| CY7C199C-15ZC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width) | IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I | 对比 | |
| CY7C1399B-15ZXIT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width) | IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I | 对比 |



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