W9464G6KH-4备选型号: N25S818HAT21I
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- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- JESD-30代码
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 引脚数
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电源电压
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 界面
- 电源电流
- 输出特性
- 无卤素
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 辐射硬化
- 无铅
- IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II表面贴装66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)YESVolatile0°C~70°C TATray2016Obsolete3 (168 Hours)66AUTO/SELF REFRESH2.4V~2.7VDUAL10.65mmR-PDSO-G662.7V2.4V64Mb 4M x 161SYNCHRONOUS250MHz55nsDRAMParallel4MX161615ns67108864 bit22.22mm1.2mm10.16mmROHS3 Compliant------------------------
- IC SRAM 256K SPI 16MHZ 8TSSOP表面贴装8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)-Volatile-40°C~85°C TATube2008活跃3 (168 Hours)8-1.7V~1.95VDUAL10.65mm---256Kb 32K x 81-16MHz32 nsSRAMSPI-8--4.4mm--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 4 days ago)52 Weeks表面贴装8e3yesEAR99Tin (Sn)1.8VN25S818HA81.8VParallel, SPI, Serial10mA3-STATE无卤素1b256 kb5e-7ASEPARATESynchronous8b无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43R16160F-5TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II | 对比 | |
| IS61LV256AL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width) | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS61LV256AL-10TLI IC, SRAM, 256KBIT, 10NS, TSOP-28 | 对比 | |
| IS43R16800E-5TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM 128M (8Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM | 对比 |




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