ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-5TL
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IS43R16800E-5TL
1266-IS43R16800E-5TL
存储器
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
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DRAM 128M (8Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
--最小包装量--
IS43R16800E-5TL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-5TL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
66
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
66
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
2.3V~2.7V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
0.65mm
资历状况
不合格
工作电源电压
2.5V
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
128Mb 8M x 16
端口的数量
1
电源电流
240mA
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
200MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
8MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
14b
密度
128 Mb
待机电流-最大值
0.003A
I/O类型
COMMON
刷新周期
4096
顺序突发长度
248
交错突发长度
248
长度
22.22mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS43R16800E-5TL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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