W9464G6KH-5备选型号: IS61LV256AL-10TLI

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  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
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  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Winbond Electronics
    IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
    10 Weeks
    表面贴装
    66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
    YES
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    2016
    活跃
    3 (168 Hours)
    66
    AUTO/SELF REFRESH
    2.3V~2.7V
    DUAL
    未说明
    1
    2.5V
    0.65mm
    未说明
    R-PDSO-G66
    2.7V
    2.3V
    64Mb 4M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    200MHz
    55ns
    DRAM
    Parallel
    4MX16
    16
    15ns
    67108864 bit
    22.22mm
    1.2mm
    10.16mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS61LV256AL-10TLI IC, SRAM, 256KBIT, 10NS, TSOP-28
    8 Weeks
    表面贴装
    28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)
    YES
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    28
    -
    3.135V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3.3V
    0.55mm
    40
    -
    3.63V
    -
    256Kb 32K x 8
    1
    -
    -
    -
    SRAM
    Parallel
    32KX8
    8
    10ns
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    28
    e3
    yes
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    28
    3.3V
    35mA
    3-STATE
    15b
    256 kb
    0.00005A
    100MHz
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    2V
    无SVHC
    无铅
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