W948D2FBJX5I备选型号: IS42S32400F-6BL
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- DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 8Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA10 Weeks表面贴装表面贴装90-TFBGA90Volatile-40°C~85°C TATray2016活跃3 (168 Hours)90EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.021.7V~1.95VBOTTOM11.8V0.8mm90不合格1.8V1.95V1.7V256Mb 8M x 32155mASYNCHRONOUS200MHz5nsDRAMParallel4MX323-STATE3215ns14b256 Mb0.00001ACOMMON4096248162481613mm1.025mmROHS3 Compliant--
- DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA8 Weeks表面贴装表面贴装90-TFBGA90Volatile0°C~70°C TATray-活跃3 (168 Hours)90EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.023V~3.6VBOTTOM13.3V0.8mm90-3.3V3.6V3V128Mb 4M x 321150mA-166MHz5.4nsDRAMParallel4MX323-STATE32-14b128 Mb0.002ACOMMON40961248FP124813mm1.2mmROHS3 Compliant32b无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43DR16160B-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 84-TFBGA | DRAM 256Mb, 1.8V, 333MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM | 对比 | |
| IS42S32400F-7BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 4Mx32 3.3V 90-Pin WBGA | 对比 |



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