W948D2FBJX6E备选型号: IS42S32400F-6BL
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- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
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- 长度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 8Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA10 Weeks90-TFBGA表面贴装表面贴装90Volatile2016Tray-25°C~85°C TC活跃3 (168 Hours)90EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.021.7V~1.95VBOTTOM11.8V0.8mm901.8V1.95V1.7V256Mb 8M x 32150mA166MHz5nsDRAMParallel32b4MX323-STATE3215ns14b256 Mb0.00001ACOMMON409624816248161.025mm13mmROHS3 Compliant无
- DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA8 Weeks90-TFBGA表面贴装表面贴装90Volatile-Tray0°C~70°C TA活跃3 (168 Hours)90EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.023V~3.6VBOTTOM13.3V0.8mm903.3V3.6V3V128Mb 4M x 321150mA166MHz5.4nsDRAMParallel32b4MX323-STATE32-14b128 Mb0.002ACOMMON40961248FP12481.2mm13mmROHS3 Compliant无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT41K128M8DA-107:J | Micron Technology Inc. | 存储器 | 78-TFBGA | DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 128Mx8 1.35V 78-Pin FBGA | 对比 |
| IS42S32200L-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA | 对比 | |
| IS42S32400F-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA | 对比 |




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