W94AD6KBHX5E备选型号: IS43LR16160G-6BL

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 底架
  • 数据总线宽度
  • Winbond Electronics
    IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 60VFBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    60-TFBGA
    YES
    60
    Volatile
    -25°C~85°C TC
    Tray
    2016
    活跃
    3 (168 Hours)
    60
    AUTO/SELF REFRESH
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    未说明
    1
    1.8V
    0.8mm
    未说明
    不合格
    1.8V
    1.95V
    1.7V
    1Gb 64M x 16
    1
    115mA
    SYNCHRONOUS
    200MHz
    5ns
    DRAM
    Parallel
    64MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    16b
    1 Gb
    0.00001A
    COMMON
    8192
    24816
    24816
    9mm
    1.025mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
    14 Weeks
    表面贴装
    60-TFBGA
    -
    60
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    60
    AUTO/SELF REFRESH
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    -
    1
    1.8V
    0.8mm
    -
    -
    1.8V
    1.95V
    1.7V
    256Mb 16M x 16
    1
    110mA
    SYNCHRONOUS
    166MHz
    5.5ns
    DRAM
    Parallel
    16MX16
    -
    16
    15ns
    15b
    256 Mb
    -
    -
    -
    -
    -
    10mm
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    16b
  • 添加型号
集成电路(IC)相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IS43LR16160G-6BLI IS43LR16160G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 60-TFBGA DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM 对比
IS43LR16160G-6BL IS43LR16160G-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 60-TFBGA DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM 对比