W94AD6KBHX5E备选型号: IS62WV6416ALL-55BLI

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  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 底架
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 访问时间(最大)
  • 同步/异步
  • 字长
  • 辐射硬化
  • Winbond Electronics
    IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 60VFBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    60-TFBGA
    YES
    60
    Volatile
    -25°C~85°C TC
    Tray
    2016
    活跃
    3 (168 Hours)
    60
    AUTO/SELF REFRESH
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    未说明
    1
    1.8V
    0.8mm
    未说明
    不合格
    1.8V
    1.95V
    1.7V
    1Gb 64M x 16
    1
    115mA
    SYNCHRONOUS
    200MHz
    5ns
    DRAM
    Parallel
    64MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    16b
    1 Gb
    0.00001A
    COMMON
    8192
    24816
    24816
    9mm
    1.025mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM Chip Async Single 1.8V 1M-Bit 64K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA
    8 Weeks
    表面贴装
    48-TFBGA
    -
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    -
    1.7V~2.2V
    BOTTOM
    260
    1
    1.8V
    0.75mm
    40
    -
    1.8V
    2.2V
    -
    1Mb 64K x 16
    1
    5mA
    -
    -
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    3-STATE
    16
    55ns
    16b
    1 Mb
    0.000005A
    COMMON
    -
    -
    -
    8mm
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    e1
    yes
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    48
    55 ns
    Asynchronous
    16b
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