W94AD6KBHX5E备选型号: IS62WV6416ALL-55BLI
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- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
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- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 操作模式
- 时钟频率
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- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 底架
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 访问时间(最大)
- 同步/异步
- 字长
- 辐射硬化
- IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 60VFBGA10 Weeks表面贴装60-TFBGAYES60Volatile-25°C~85°C TCTray2016活跃3 (168 Hours)60AUTO/SELF REFRESH1.7V~1.95VBOTTOM未说明11.8V0.8mm未说明不合格1.8V1.95V1.7V1Gb 64M x 161115mASYNCHRONOUS200MHz5nsDRAMParallel64MX163-STATE1615ns16b1 Gb0.00001ACOMMON819224816248169mm1.025mmROHS3 Compliant----------
- SRAM Chip Async Single 1.8V 1M-Bit 64K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA8 Weeks表面贴装48-TFBGA-48Volatile-40°C~85°C TATray-活跃3 (168 Hours)48-1.7V~2.2VBOTTOM26011.8V0.75mm40-1.8V2.2V-1Mb 64K x 1615mA---SRAMParallel-3-STATE1655ns16b1 Mb0.000005ACOMMON---8mm-ROHS3 Compliant表面贴装e1yesEAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)4855 nsAsynchronous16b无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43LR16160G-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 60-TFBGA | DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM | 对比 | |
| IS43LR16160G-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 60-TFBGA | DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM | 对比 |



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