您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 W94AD6KBHX5I vs IS42S16800F-6BLI

W94AD6KBHX5I备选型号: IS42S16800F-6BLI

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 资历状况
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 数据总线宽度
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • ECCN 代码
  • 引脚数量
  • 无铅
  • Winbond Electronics
    W94AD6KBHX5I
    Winbond Electronics
    IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    60-TFBGA
    60
    Volatile
    -40°C~85°C TC
    Tray
    2016
    活跃
    3 (168 Hours)
    60
    AUTO/SELF REFRESH
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    1
    1.8V
    0.8mm
    不合格
    1.8V
    1.95V
    1.7V
    1Gb 64M x 16
    1
    115mA
    SYNCHRONOUS
    200MHz
    5ns
    DRAM
    Parallel
    16b
    64MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    14b
    1 Gb
    0.00001A
    COMMON
    8192
    24816
    24816
    9mm
    1.025mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS42S16800F-6BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    54-TFBGA
    54
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    54
    AUTO/SELF REFRESH
    3V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3.3V
    0.8mm
    不合格
    3.3V
    3.6V
    3V
    128Mb 8M x 16
    1
    120mA
    SYNCHRONOUS
    166MHz
    5.4ns
    DRAM
    Parallel
    16b
    8MX16
    3-STATE
    16
    -
    14b
    128 Mb
    0.002A
    COMMON
    4096
    1248FP
    1248
    8mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    EAR99
    54
    无铅
  • 添加型号
集成电路（IC）相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
MT47H128M8SH-25E:M MT47H128M8SH-25E:M Micron Technology Inc. 存储器 60-TFBGA IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 对比