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W9712G6KB-25备选型号: IS42S32200L-6BLI

W9712G6KB-25

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

10 Weeks
表面贴装
表面贴装
84-TFBGA
84
Volatile
0°C~85°C TC
Tray
2016
活跃
3 (168 Hours)
84
AUTO/SELF REFRESH
1.7V~1.9V
BOTTOM
未说明
1
1.8V
0.8mm
未说明
不合格
1.8V
1.9V
1.7V
128Mb 8M x 16
1
135mA
SYNCHRONOUS
200MHz
400ps
DRAM
Parallel
8MX16
3-STATE
16
15ns
15b
128 Mb
0.008A
COMMON
4096
48
48
12.5mm
1.2mm
ROHS3 Compliant
-
-
-
-
IS42S32200L-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA

8 Weeks
表面贴装
表面贴装
90-TFBGA
90
Volatile
-40°C~85°C TA
Tray
-
活跃
3 (168 Hours)
90
AUTO/SELF REFRESH
3V~3.6V
BOTTOM
-
1
3.3V
0.8mm
-
不合格
3.3V
3.6V
3V
64Mb 2M x 32
1
100mA
SYNCHRONOUS
166MHz
5.4ns
DRAM
Parallel
2MX32
3-STATE
32
-
13b
64 Mb
0.002A
COMMON
4096
1248FP
1248
13mm
1.2mm
ROHS3 Compliant
EAR99
8542.32.00.02
90
32b
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	MT47H64M16NF-25E:M	Micron Technology Inc.	存储器	84-TFBGA	IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA	对比