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首页 全部分类 W9725G8KB-18 vs IS62WV12816BLL-55BLI

W9725G8KB-18备选型号: IS62WV12816BLL-55BLI

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  • 底架
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 输出特性
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  • 密度
  • 访问时间（最大）
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 辐射硬化
  • Winbond Electronics
    W9725G8KB-18
    Winbond Electronics
    IC SDRAM 256MBIT 533MHZ 84BGA
    10 Weeks
    YES
    60-TFBGA
    表面贴装
    60
    Volatile
    2016
    Tray
    0°C~85°C TC
    活跃
    3 (168 Hours)
    60
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.24
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    1
    0.8mm
    R-PBGA-B60
    256Mb 32M x 8
    1
    SYNCHRONOUS
    533MHz
    350ps
    DRAM
    Parallel
    32MX8
    8
    15ns
    268435456 bit
    1.9V
    1.7V
    8mm
    1.2mm
    12.5mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS62WV12816BLL-55BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA
    8 Weeks
    -
    48-TFBGA
    表面贴装
    48
    Volatile
    -
    Tray
    -40°C~85°C TA
    活跃
    2 (1 Year)
    48
    -
    -
    -
    3.3V
    BOTTOM
    1
    0.75mm
    -
    2Mb 128K x 16
    1
    -
    -
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    16
    55ns
    -
    3.6V
    2.5V
    -
    -
    8mm
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    3mA
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    260
    40
    16b
    3-STATE
    17b
    2 Mb
    55 ns
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    1V
    无
  • 添加型号
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