W972GG6KB-25备选型号: IS43TR16128A-15HBLI
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
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- 内存格式
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- 数据总线宽度
- 组织结构
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- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
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- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- HTS代码
- 引脚数量
- 电源电流
- 最大电源电流
- 输出特性
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 辐射硬化
- DRAM Chip DDR SDRAM 2G-Bit 128M x 16 1.8V 84-Pin WBGA10 Weeks表面贴装表面贴装84-TFBGA84Volatile0°C~85°C TCTray2016e1活跃3 (168 Hours)84EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)AUTO/SELF REFRESH1.7V~1.9VBOTTOM未说明11.8V0.8mm未说明1.8V1.9V1.7V2Gb 128M x 161SYNCHRONOUS400MHz400psDRAMParallel16b128MX161615ns14b2 Gb12.5mm1.2mmROHS3 Compliant-----------
- DRAM 2G 1.5V, (128M x 16) DDR3 SDRAM-表面贴装表面贴装96-TFBGA96Volatile-40°C~95°C TCTray-e1Discontinued3 (168 Hours)96EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)-1.425V~1.575VBOTTOM-11.5V0.8mm-1.5V1.575V1.425V2Gb 128M x 161-667MHz20nsDRAMParallel16b128MX161615ns17b2 Gb13mm1.2mmROHS3 Compliant8542.32.00.3696140mA286mA3-STATE0.02ACOMMON81924848无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT47H128M16RT-25E:C | Micron Technology Inc. | 存储器 | 84-TFBGA | IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA | 对比 |




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