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首页 全部分类 W972GG6KB-25 vs MT47H128M16RT-25E:C

W972GG6KB-25备选型号: MT47H128M16RT-25E:C

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 数据总线宽度
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 无铅代码
  • HTS代码
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 电源电流
  • 输出特性
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 环境温度范围高
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Winbond Electronics
    W972GG6KB-25
    Winbond Electronics
    DRAM Chip DDR SDRAM 2G-Bit 128M x 16 1.8V 84-Pin WBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    84-TFBGA
    84
    Volatile
    0°C~85°C TC
    Tray
    2016
    e1
    活跃
    3 (168 Hours)
    84
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    AUTO/SELF REFRESH
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    未说明
    1
    1.8V
    0.8mm
    未说明
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    2Gb 128M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    400MHz
    400ps
    DRAM
    Parallel
    16b
    128MX16
    16
    15ns
    14b
    2 Gb
    12.5mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT47H128M16RT-25E:C
    Micron Technology Inc.
    IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    84-TFBGA
    84
    Volatile
    0°C~85°C TC
    Tray
    2011
    e1
    活跃
    3 (168 Hours)
    84
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
    AUTO/SELF REFRESH
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    260
    1
    1.8V
    0.8mm
    30
    1.8V
    1.9V
    1.7V
    2Gb 128M x 16
    1
    -
    400MHz
    400ps
    DRAM
    Parallel
    16b
    128MX16
    16
    15ns
    17b
    2 Gb
    12.5mm
    -
    ROHS3 Compliant
    Copper, Silver, Tin
    yes
    8542.32.00.36
    MT47H128M16
    84
    190mA
    3-STATE
    0.012A
    COMMON
    85°C
    8192
    48
    48
    1.45mm
    无SVHC
    无
    无铅
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MT47H128M16RT-25E:C MT47H128M16RT-25E:C Micron Technology Inc. 存储器 84-TFBGA IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA 对比