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首页 全部分类 W978H6KBVX2E vs IS61NLP25636A-200B3I

W978H6KBVX2E备选型号: IS61NLP25636A-200B3I

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  • 包装/外壳
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  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 内存格式
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  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 记忆密度
  • 访问模式
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 访问时间
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 辐射硬化
  • Winbond Electronics
    W978H6KBVX2E
    Winbond Electronics
    IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 134VFBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    134-VFBGA
    YES
    134
    Volatile
    -25°C~85°C TC
    Tray
    2016
    活跃
    3 (168 Hours)
    134
    AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
    1.14V~1.95V
    BOTTOM
    1
    1.2V
    0.65mm
    1.3V
    1.14V
    256Mb 16M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    400MHz
    DRAM
    Parallel
    16MX16
    16
    15ns
    268435456 bit
    四库页面突发
    11.5mm
    1mm
    10mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61NLP25636A-200B3I
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA
    -
    表面贴装
    165-TFBGA
    YES
    165
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    最后一次购买
    2 (1 Year)
    165
    流水线结构
    3.135V~3.465V
    BOTTOM
    1
    3.3V
    1mm
    -
    3.135V
    9Mb 256K x 36
    4
    -
    200MHz
    SRAM
    Parallel
    256KX36
    36
    -
    -
    -
    15mm
    1.2mm
    -
    Non-RoHS Compliant
    e0
    no
    3A991.B.2.A
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    165
    3.3V
    3.1ns
    3-STATE
    18b
    9 Mb
    0.05A
    COMMON
    无
  • 添加型号
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IS61NLP25636A-200B3I IS61NLP25636A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 165-TFBGA IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA 对比