W978H6KBVX2I备选型号: IS61NLP25636A-200B3I
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 访问模式
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 访问时间
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 辐射硬化
- IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 134VFBGA10 Weeks表面贴装134-VFBGAYES134Volatile-40°C~85°C TATray2016活跃3 (168 Hours)134AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM1.14V~1.95VBOTTOM11.2V0.65mm1.3V1.14V256Mb 16M x 161SYNCHRONOUS400MHzDRAMParallel16MX161615ns268435456 bit四库页面突发11.5mm1mm10mmROHS3 Compliant-------------
- IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA-表面贴装165-TFBGAYES165Volatile-40°C~85°C TATray-最后一次购买2 (1 Year)165流水线结构3.135V~3.465VBOTTOM13.3V1mm-3.135V9Mb 256K x 364-200MHzSRAMParallel256KX3636---15mm1.2mm-Non-RoHS Compliante0no3A991.B.2.ATin/Lead (Sn/Pb)1653.3V3.1ns3-STATE18b9 Mb0.05ACOMMON无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43TR16640BL-125JBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 96-TFBGA | DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.35V 96-Pin TWBGA | 对比 | |
| IS61NLP25636A-200B3I | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TFBGA | IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA | 对比 |



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