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首页 全部分类 W979H2KBVX2E vs 71V632S7PFG

W979H2KBVX2E备选型号: 71V632S7PFG

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  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 温度等级
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  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 电源电流
  • 访问时间
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Winbond Electronics
    W979H2KBVX2E
    Winbond Electronics
    IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 134VFBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    134-VFBGA
    YES
    134
    Volatile
    -25°C~85°C TC
    Tray
    2016
    活跃
    3 (168 Hours)
    134
    AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
    1.14V~1.95V
    BOTTOM
    1
    1.2V
    0.65mm
    1.3V
    1.14V
    512Mb 16M x 32
    1
    SYNCHRONOUS
    400MHz
    DRAM
    Parallel
    16MX32
    32
    15ns
    536870912 bit
    四库页面突发
    11.5mm
    1mm
    10mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    71V632S7PFG
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 3.3V 2M-Bit 64K x 32 7ns 100-Pin TQFP Tray
    7 Weeks
    -
    TQFP
    -
    100
    66MHz
    -
    -
    2015
    活跃
    3 (168 Hours)
    100
    ALSO REQUIRES 3.3V I/O SUPPLY
    -
    QUAD
    1
    3.3V
    0.65mm
    -
    -
    256kB
    1
    -
    -
    -
    -
    64KX32
    -
    -
    -
    -
    20mm
    -
    14mm
    符合RoHS标准
    表面贴装
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn) - annealed
    70°C
    0°C
    鸥翼
    260
    66MHz
    30
    100
    3.3V
    COMMERCIAL
    Parallel
    3.63V
    3.135V
    160mA
    7 ns
    3-STATE
    16b
    2 Mb
    COMMON
    Synchronous
    32b
    1.4mm
    无
    无铅
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
71V632S7PFG 71V632S7PFG Integrated Device Technology (IDT) 存储器 TQFP SRAM Chip Sync Single 3.3V 2M-Bit 64K x 32 7ns 100-Pin TQFP Tray 对比