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首页 全部分类 W97AH2KBVX2I vs IS43TR16128BL-125KBL

W97AH2KBVX2I备选型号: IS43TR16128BL-125KBL

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  • 访问时间
  • 输出特性
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  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • Winbond Electronics
    W97AH2KBVX2I
    Winbond Electronics
    IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 134VFBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    134-VFBGA
    YES
    134
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2016
    活跃
    3 (168 Hours)
    134
    SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
    1.14V~1.95V
    BOTTOM
    1
    1.2V
    0.65mm
    1.3V
    1.14V
    1Gb 32M x 32
    1
    SYNCHRONOUS
    400MHz
    DRAM
    Parallel
    32MX32
    32
    15ns
    1073741824 bit
    多库页面突发
    11.5mm
    1mm
    10mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43TR16128BL-125KBL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
    6 Weeks
    表面贴装
    96-TFBGA
    YES
    96
    Volatile
    0°C~95°C TC
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    96
    AUTO/SELF REFRESH
    1.283V~1.45V
    BOTTOM
    1
    1.35V
    0.8mm
    1.45V
    1.283V
    2Gb 128M x 16
    1
    ASYNCHRONOUS
    800MHz
    DRAM
    Parallel
    128MX16
    16
    15ns
    2147483648 bit
    -
    13mm
    1.2mm
    9mm
    ROHS3 Compliant
    不合格
    1.35V
    20ns
    3-STATE
    0.014A
    COMMON
    8192
    48
    48
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IS43TR16128BL-125KBL IS43TR16128BL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 存储器 96-TFBGA IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 对比