W9812G6JB-6备选型号: IS45S16800F-7BLA1
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- 工厂交货时间
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 数据总线宽度
- IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54TFBGA10 Weeks表面贴装表面贴装54-TFBGA54Volatile0°C~70°C TATray2009活跃3 (168 Hours)54EAR99AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VBOTTOM未说明13.3V0.8mmunknown未说明54不合格3.3V3.6V3V128Mb 8M x 16175mASYNCHRONOUS166MHz5nsDRAMParallel2MX163-STATE1614b128 Mb0.002ACOMMON40961248FP12488mm1.2mmROHS3 Compliant---
- DRAM 128M 8Mx16 143Mhz SDR SDRAM 3.3v8 Weeks表面贴装表面贴装54-TFBGA54Volatile-40°C~85°C TATray-活跃3 (168 Hours)54EAR99AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VBOTTOM-13.3V0.8mm--54不合格3.3V3.6V3V128Mb 8M x 161100mASYNCHRONOUS143MHz5.4nsDRAMParallel8MX163-STATE1614b128 Mb0.002ACOMMON40961248FP12488mm1.2mmROHS3 Compliante1Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)16b
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16800F-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 | |
| IS45S16800F-7BLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 128M 8Mx16 143Mhz SDR SDRAM 3.3v | 对比 |



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