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首页 全部分类 WPB4001-1E vs FDP20N50

WPB4001-1E备选型号: FDP20N50

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 端子表面处理
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 电阻
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    WPB4001-1E
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin TO-3P Tube
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    6.961991g
    26A Ta
    150°C TJ
    Tube
    2015
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    3
    44 ns
    N-Channel
    260m Ω @ 13A, 10V
    2250pF @ 30V
    87nC @ 10V
    156ns
    ±30V
    94 ns
    26A
    30V
    500V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP20N50
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    95 ns
    N-Channel
    230m Ω @ 10A, 10V
    3120pF @ 25V
    59.5nC @ 10V
    375ns
    ±30V
    105 ns
    20A
    30V
    500V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    Tin
    SILICON
    UniFET™
    3
    230MOhm
    雪崩 额定
    Single
    增强型MOSFET
    250W
    SWITCHING
    5V @ 250μA
    5V
    TO-220AB
    80A
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
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