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首页 全部分类 ZTX796A vs MPSW63G

ZTX796A备选型号: MPSW63G

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 资历状况
  • 极性
  • 频率转换
  • Diodes Incorporated
    ZTX796A
    Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - BJT 200V VCEO PNP 250 GAIN IC 0.3A
    通孔
    通孔
    E-Line-3
    3
    453.59237mg
    SILICON
    E-Line
    200V
    -300mV
    -55°C~200°C TJ
    Bulk
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -200V
    1W
    260
    -500mA
    100MHz
    40
    ZTX796A
    3
    Single
    1W
    100MHz
    PNP
    PNP
    200V
    500mA
    300 @ 10mA 5V
    100nA
    300mV @ 20mA, 200mA
    100MHz
    200V
    -5V
    -500mA
    4.01mm
    4.77mm
    2.41mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MPSW63G
    ON Semiconductor
    TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO92
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
    3
    -
    SILICON
    -
    30V
    1.5V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2006
    e1
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -30V
    1W
    260
    -500mA
    -
    40
    MPSW63
    3
    Single
    1W
    -
    -
    PNP - Darlington
    30V
    500mA
    10000 @ 100mA 5V
    100nA ICBO
    1.5V @ 100μA, 100mA
    125MHz
    30V
    10V
    -500mA
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    BOTTOM
    不合格
    PNP
    125MHz
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