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ZTX968备选型号: BC636TA
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 端子位置
- 基本部件号
- 资历状况
- 晶体管应用
- 最大击穿电压
- 无铅
TRANS PNP 12V 4.5A E-LINE11 Weeks通孔通孔E-Line-33453.59237mgSILICON12V-50mV-55°C~200°C TJBulk2006e3no活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)-12V1.2W260-4.5A80MHz403Single1.2W1.58W80MHzPNPPNP12V4.5A300 @ 500mA 1V50nA ICBO300mV @ 200mA, 5A80MHz15V-6V-4.5A4.01mm4.77mm2.41mm无SVHC无ROHS3 Compliant--------
Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP2 Weeks通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)3240mgSILICON45V-500mV150°C TJTape & Box (TB)2009e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99--45V1W未说明-1A100MHz未说明-Single1W-100MHzPNPPNP45V1A40 @ 150mA 2V100nA ICBO500mV @ 50mA, 500mA100MHz-45V-5V-4.58mm4.58mm3.86mm无SVHC-ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 4 days ago)TinBOTTOMBC636不合格SWITCHING45V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZTX789A | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | E-Line-3 | TRANS PNP 25V 3A E-LINE | 对比 |
| BC636TA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP | 对比 |
| BC638TF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | TRANS PNP 60V 1A TO-92 | 对比 |
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