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首页 全部分类 ZVP2110A vs ZVP2110ASTZ

ZVP2110A备选型号: ZVP2110ASTZ

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
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  • 参考标准
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    ZVP2110A
    Diodes Incorporated
    Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; 0.7W; TO92
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    3
    453.59237mg
    SILICON
    230mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8Ohm
    Matte Tin (Sn)
    -100V
    BOTTOM
    WIRE
    260
    -230mA
    40
    3
    CECC
    1
    Single
    增强型MOSFET
    700mW
    7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    8 Ω @ 375mA, 10V
    3.5V @ 1mA
    100pF @ 25V
    15ns
    100V
    ±20V
    15 ns
    230mA
    -3.5V
    20V
    -100V
    4.01mm
    4.77mm
    2.41mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • Diodes Incorporated
    ZVP2110ASTZ
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    E-Line-3
    3
    453.59237mg
    SILICON
    230mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8Ohm
    Matte Tin (Sn)
    -100V
    -
    WIRE
    260
    -230mA
    40
    3
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    700mW
    7 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    8 Ω @ 375mA, 10V
    3.5V @ 1mA
    100pF @ 25V
    15ns
    100V
    ±20V
    15 ns
    230mA
    -
    20V
    -
    4.01mm
    4.77mm
    2.41mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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