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首页 全部分类 ZVP3306A vs ZVP4105A

ZVP3306A备选型号: ZVP4105A

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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 额定功率
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 箱码（公制）
  • 箱码（英制）
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    ZVP3306A
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
    17 Weeks
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    通孔
    表面贴装
    3
    453.59237mg
    SILICON
    75V
    2006
    Bulk
    -55°C~150°C TJ
    1%
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    470kOhm
    Matte Tin (Sn)
    100mW
    -60V
    BOTTOM
    WIRE
    260
    -160mA
    40
    3
    1608
    0603
    1
    Single
    增强型MOSFET
    625mW
    8 ns
    P-Channel
    14 Ω @ 200mA, 10V
    3.5V @ 1mA
    50pF @ 18V
    8ns
    60V
    ±20V
    8 ns
    160mA
    -3.5V
    20V
    -60V
    8 pF
    800μm
    1.6mm
    450μm
    ROHS3 Compliant
    无
    有
    无铅
  • Diodes Incorporated
    ZVP4105A
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3
    -
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    通孔
    通孔
    3
    453.59237mg
    SILICON
    175mA Ta
    2012
    Bulk
    -55°C~150°C TJ
    -
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    10Ohm
    Matte Tin (Sn)
    -
    -50V
    BOTTOM
    WIRE
    260
    -175mA
    40
    3
    -
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    625mW
    10 ns
    P-Channel
    10 Ω @ 100mA, 5V
    2V @ 1mA
    40pF @ 25V
    10ns
    50V
    ±20V
    10 ns
    170mA
    -2V
    20V
    -
    6 pF
    2.41mm
    4.77mm
    4.01mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
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ZVN3306A ZVN3306A Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line 对比