Diodes Incorporated ZVP3306A

工厂交货时间

17 Weeks

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rated

75V

Turn Off Delay Time

8 ns

Power Dissipation (Max)

625mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

160mA Ta

已出版

2006

包装

Bulk

操作温度

-55°C~150°C TJ

容差

1%

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

470kOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

额定功率

100mW

电压 - 额定直流

-60V

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-160mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

箱码（公制）

1608

箱码（英制）

0603

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

625mW

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

14 Ω @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 18V

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

160mA

阈值电压

-3.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-60V

反馈上限-最大值 (Crss)

8 pF

宽度

800μm

长度

1.6mm

高度

450μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

有

无铅

无铅