您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 ZXM64N02XTA vs IRF7555TRPBF

ZXM64N02XTA备选型号: IRF7555TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Diodes Incorporated
    ZXM64N02XTA
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin MSOP T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    139.989945mg
    SILICON
    5.4A Ta
    700mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    40mOhm
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    5.4A
    40
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    1.8W
    5.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 3.8A, 4.5V
    1100pF @ 15V
    16nC @ 4.5V
    9.6ns
    ±12V
    9.6 ns
    5.4A
    12V
    20V
    950μm
    3.1mm
    3.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7555TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
    表面贴装
    表面贴装
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
    8
    -
    -
    4.3A
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    55mOhm
    -
    -
    -20V
    -
    -
    -
    -4.3A
    -
    -
    -
    -
    1.25W
    10 ns
    2 P-Channel (Dual)
    -
    55mOhm @ 4.3A, 4.5V
    1066pF @ 10V
    15nC @ 5V
    46ns
    -
    64 ns
    -4.3A
    12V
    -20V
    860μm
    3mm
    3mm
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    Micro8™
    HEXFET®
    150°C
    -55°C
    1.25W
    IRF7555PBF
    Dual
    1.25W
    1.2V @ 250μA
    20V
    1.066nF
    逻辑电平门
    55mOhm
    55 mΩ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
ZXM64P02XTA ZXM64P02XTA Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) MOSFET 20V P-Chnl HDMOS 对比
IRF7601TRPBF IRF7601TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8 对比
IRF7607TRPBF IRF7607TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8 对比