Infineon Technologies IRF7601TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W Ta

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

1997

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

超低电阻

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.8W

接通延迟时间

5.1 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 3.8A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 4.5V

上升时间

47ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

32 ns

连续放电电流(ID)

5.7A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.035Ohm

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

高度

860μm

长度

3mm

宽度

3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant